半导体发展潜力堪比石墨烯
　　众所周知，石墨烯在A股市场上不时掀起炒作狂潮，而石墨烯自身的发展，也早就不仅局限于概念的炒作。如今，分析人士表示，单层辉钼材料有望取代现有的矽和热门石墨烯，成为下一代半导体材料，其发展潜力不容小觑。
　　2011年瑞士联邦理工学院洛桑分校(EPFL)科学家制造出了全球第一个辉钼矿微晶片，据悉，辉钼是未来取代矽基芯片强力竞争者。领导该研究的安德拉斯·基什教授表示，辉钼是良好的下一代半导体材料，在制造超小型晶体管、发光二极管和太阳能电池方面具有很广阔的前景，而这次美国加州纳米技术研究院制成的辉钼基柔性微处理芯片，未来前景更加广阔。
　　同矽和石墨烯相比，辉钼的优势之一是体积更小，辉钼单分子层是二维的，而矽是一种三维材料。在一张0.65纳米厚的辉钼薄膜上，电子运动和在两纳米厚的矽薄膜上一样容易，而辉钼矿可以被加工到只有3个原子厚。
　　辉钼所具有的机械特性也使得它受到关注，并有可能成为一种用于弹性电子装置中的材料，可以用在制造可卷曲的电脑或是能够贴在皮肤上的装置，甚至可以植入人体。英国《自然．纳米技术》杂志就曾指出，单层的辉钼材料具备良好的半导体特性，其有些性能还超过现在广泛使用的矽和研究热门石墨烯，未来有望成为下一代半导体材料。
　　有分析指出，尽管石墨烯是最有可能在集成电路中替代Si的材料，但石墨烯并非自然状态的半导体材料，它必须经过特殊工艺处理来实现这一目标。辉钼材料(MoS2)则是真正的半导体材料，并且如石墨烯一样可以制成原子级厚度的集成电路，但它与金属导线之间的连接存在问题。3月份，瑞士联邦理工学院洛桑分校的研究人员实现了这一突破，他们发现可以利用氧化铪将一个非常小的金电极连接到Si衬底的辉钼材料上，这样形成的集成逻辑电路的厚度(0.65nm)比Si集成电路更小，而且比同等尺寸的石墨烯电路更便宜。
　　另据外媒报道，南洋理工材料科学与工程学院的研究人员则开发出了一款基于单层MoS2材料的光电晶体管，并对其电学性能进行了表征研究。研究人员采用了胶带机械剥离法在Si/SiO2衬底上沉积了单层MoS2材料；测量结果显示这层MoS2厚度为0.8nm。研究人员使用该材料制造了一个MoS2场效应管，其他部件还包括两个钛/金电极，以及300nm的Si上SiO2作为源极、漏极和背栅材料。

　　沾钼概念或现炒作潮
　　此次氧化硫研究获得突破后，半导体薄膜在纳米电子器件中将更受欢迎；分析人士指出，A股市场中沾“钼”概念，如洛阳钼业、新华龙及金钼股份将有望受到资金的青睐。
　　洛阳钼业(603993)：2010年4月，公司与美国凯利纳米钼开发公司合作成立了洛阳纳米材料研究中心，致力于纳米钼领域的研发。公司在钼、钨产品的采、选、焙烧及深加工等技术领域具有强大的研发实力。公司研发了多项科研成果并成功产业化，进而成为行业技术进步的引擎。分析人士表示，从研发实力上来看，公司在纳米钼上明显具有技术优势，未来硫化钼在半导体的应用一旦展开，公司的技术实力将成为关键点。
　　新华龙(603399)：经过多年的研发和实践经验积累，公司已经取得11项专利权，并在钼精矿焙烧、钼铁冶炼和钼酸铵加工等生产过程中总结出一整套国内先进的工艺技术，形成原料要求低、产品质量稳定、热能利用率高的节约型生产模式。目前，公司焙烧钼精矿和钼酸铵产品收率可达98.5%以上，处于行业先进水平。
　　金钼股份(601958)：公司依托国家级企业技术中心和博士后科研工作站，建立了完整的技术创新体系，公司先后承担国家级科研项目4项、省部级科研项目16项。公司与西安交大共建“西安交通大学金属材料强度国家重点实验室——金堆城钼材料研究室”，与中南大学共建“粉末冶金国家工程研究中心——金堆钼合金研究所”。(中国证券报 魏静)

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